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20nm ARM可以跑到3GHz 功耗还更低
2013-07-09 09:21:21  出处:快科技 作者:上方文Q 编辑:上方文Q     评论(0)点击可以复制本篇文章的标题和链接

台积电、GlobalFoundries都将在2014年批量投产20nm工艺,而这将成为下一代ARM处理器的大救星。目前,无论是高通的骁龙800,还是NVIDIA Tegra 4i,28nm工艺的限制下主频最高只能达到2.3GHz,A15架构的Tegra 4更是仅仅1.8GHz。

台积电宣称,20nm工艺可以提速30%,同时晶体管密度增加1.9倍,功耗则降低25%。如果真是这样,ARM处理器单是改换工艺就可以将主频提升到3GHz,同时还有更多可用的晶体管来添加新的功能模块。

功耗的降低则意味着发热量的减少、电池续航时间的延长,不过注意,这个降低25%的前提按惯例应该是同频之下,3GHz的时候必然会比现在更耗电。

目前看来,NVIDIA的下一代整合开普勒架构图形核心的Logan Tegra 5几乎必然会使用台积电20nm,A15架构的高功耗、高发热量难题也有望因此迎刃而解。PowerVR 6系列图形核心同样宣布了很久,但至今仍无实际产品,等的也是20nm乃至是16nm。

Intel Atom即将转向22nm(AMD APU只能坚守28nm),看起来ARM明年似乎要领先一步,但是从目前的迹象看,新工艺加新架构的Atom非常凶猛,跑分无敌,更何况在工艺方面Intel一向是走在世界最前列,后年应该就能上14nm。

20nm ARM可以跑到3GHz 功耗还更低

 

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