市场一直希望能有一种断电后能继续保存数据的DRAM产品，其中的一种解决方案是在同一块芯片上同时集成DRAM和闪存，不过对于那些更在意性能而不是容量的用户来说， ST-MRAM（自旋扭矩磁性随机存储器）是一种更好的选择。

Everspin刚刚宣布了其首款ST-MRAM，这款产品被集成在和DDR3外形尺寸一样的模块中，兼容JEDEC DDR3 1600规格，拥有最高3.2 GBytes/s的带宽以及纳秒级延迟。模块样品目前已经上市，而量产需要等到2013年。

有趣的是，早在10多年前，由于其不易挥发的特性，MRAM就被视为取代NAND闪存的潜在高性能产品。不过，从产品容量的角度来说，该技术还远远无法参与竞争。Everspin这次刚宣布的新品容量也仅有64Mb(8MB)。事实上，Everspin目前成熟的MRAM芯片只有4Mb，制造工艺也是过时的180nm制程。相比之下，Intel最新的CPU采用22nm制程。

MRAM的优势在于其性能以及低功耗。在未来，内存技术有望超越闪存甚至是DRAM，达到SRAM的水平。只要获得与闪存和DRAM相同的投资力度以及存在同样大的市场需求，MRAM也有望称为未来主流内存产品。