40nm、28nm上连续栽了两个跟头，全球头号代工厂台积电依然雄心勃勃，已经瞄准了下一站：20nm。

台积电老大张忠谋近日就表示：“我们会在明年开始部分投产20nm，但只是小规模的，产量非常低，基本上我们称之为风险性试产。2014年才会是20nm SoC大规模量产的时候。”

一个有趣的现象是，台积电20nm工艺只会提供单独一个版本，通吃从高性能GPU到低功耗移动CPU的各种芯片，而目前的28nm工艺有至少四个版本：面向低功耗成本优化芯片的28LP (poly/SiON)、用于低功耗应用处理器的28HPL (HKMG)、针对高性能芯片的28HP (HKMG)、综合了高性能与低功耗技术而主要面向平板机/巨屏手机和轻薄型笔记本处理器的28HPM (HKMG)。

多种技术版本固然会有很强的针对性，但也大大增加了研发成本和难度，在半导体工艺越来越复杂的今天实在是疲于应付，这才促使台积电转变观念，简化成一个版本。

张忠谋还说：“我们预计会在16nm工艺上引入FinFET，大概在2015年的下半年。”

FinFET即鳍式场效晶体管，是一种新的CMOS晶体管，至少可以缩小到9nm，是半导体工艺实现下一步突破的关键技术之一，发明人是加州大学伯克利分校的台湾籍胡正明教授，曾在2001-2004年担任台积电首席技术官。Intel、GlobalFoundries等也都在计划引入这一技术。

不过台积电要想量产FinFET 16nm，估计怎么着也得2016-2017年了。