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台积电:明年开始小规模投产20nm
2012-07-23 09:37:15  出处:快科技 作者:上方文Q 编辑:上方文Q   点击可以复制本篇文章的标题和链接

40nm、28nm上连续栽了两个跟头,全球头号代工厂台积电依然雄心勃勃,已经瞄准了下一站:20nm。

台积电老大张忠谋近日就表示:“我们会在明年开始部分投产20nm,但只是小规模的,产量非常低,基本上我们称之为风险性试产。2014年才会是20nm SoC大规模量产的时候。

一个有趣的现象是,台积电20nm工艺只会提供单独一个版本,通吃从高性能GPU到低功耗移动CPU的各种芯片,而目前的28nm工艺有至少四个版本:面向低功耗成本优化芯片的28LP (poly/SiON)、用于低功耗应用处理器的28HPL (HKMG)、针对高性能芯片的28HP (HKMG)、综合了高性能与低功耗技术而主要面向平板机/巨屏手机和轻薄型笔记本处理器的28HPM (HKMG)。

多种技术版本固然会有很强的针对性,但也大大增加了研发成本和难度,在半导体工艺越来越复杂的今天实在是疲于应付,这才促使台积电转变观念,简化成一个版本。

张忠谋还说:“我们预计会在16nm工艺上引入FinFET,大概在2015年的下半年。

FinFET即鳍式场效晶体管,是一种新的CMOS晶体管,至少可以缩小到9nm,是半导体工艺实现下一步突破的关键技术之一,发明人是加州大学伯克利分校的台湾籍胡正明教授,曾在2001-2004年担任台积电首席技术官。Intel、GlobalFoundries等也都在计划引入这一技术。

不过台积电要想量产FinFET 16nm,估计怎么着也得2016-2017年了。

台积电:明年开始小规模投产20nm

 

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