快科技11月10日消息，全球功率半导体巨头英飞凌近日宣布，已在奥地利菲拉赫工厂成功将300mm碳化硅晶圆加工成功能性功率器件。英飞凌由此成为全球首家在大规模半导体晶圆厂环境中实现这一里程碑的企业。

这一突破的核心在于制造工艺的兼容性。该成果利用了现有的硅制造设备得以实现，打破了碳化硅长久以来受限于200mm产线的瓶颈，为面向汽车、可再生能源、工业及AI数据中心应用的客户奠定了供货基础。

产能提升立竿见影。得益于更大的晶圆直径，300mm碳化硅单片晶圆的芯片生产数量可达200mm晶圆的2.3倍。这意味着在同等生产周期内，能够产出更多的功率器件，大幅降低单颗芯片的制造成本。

在应用层面，碳化硅是高效电能转换的关键材料。除了传统的车载充电器、牵引逆变器和大型储能系统外，AI数据中心对碳化硅的需求正快速攀升，广泛应用于固态变压器与供电单元等领域。

此外，英飞凌在德国德累斯顿工厂成功验证了冷切割技术用于300mm碳化硅晶圆的可行性。相比传统线锯切割，该技术能减少材料损耗并缩短加工时间，进一步降低资本支出。

目前，英飞凌已掌握硅、碳化硅和氮化镓全部三种材料的300mm晶圆技术。该公司此前已宣布投资约11亿欧元（快科技注：约合人民币85.8亿元）建设氮化镓量产基地，此次突破再次巩固了其在宽禁带半导体领域的领导地位。

英飞凌于11月10日至13日在慕尼黑electronica展会上，首次向公众展出首片完成加工的300mm碳化硅晶圆。