快科技10月22日消息，近日美光在2026年度技术网络研讨会上预告了其下一代G11 NAND闪存产品。

该产品堆叠层数突破400层，采用晶圆对晶圆键合技术，按面积计算的存储密度约为现有276层G9 NAND的2倍，同时可实现最高1.5倍的I/O速率，数据传输能耗可降低25%以上。

值得注意的是，美光似乎跳过了G10世代，直接从G9过渡到G11。

据了解，G11 NAND预计将于2027年下半年进入产能爬坡阶段。从技术路径来看，晶圆对晶圆键合的引入使得更高层数的堆叠成为可能，同时保持单元间距的行业领先水平。

在G11之后，美光计划在NAND中导入突破性的高迁移率材料，以实现超密集单元架构，进一步强化节能属性，延续NAND在容量与能效上的扩展空间。

面向AI负载的特征，美光还披露了两类数据中心级AI-class NAND设计。其中一类是基于SLC的GPU直连IOPS优化产品，针对细粒度访问场景进行优化。

另一类则是类似HBF定义的带宽优化产品，主要用于近端计算的带宽需求。这两类设计分别对应了AI工作负载中对低延迟访问与高带宽吞吐的不同侧重。

除此之外，美光还展示了其全方位的AI优化存储解决方案，覆盖从数据中心SSD到边缘AI应用的多层级产品组合。

从整体路线图来看，美光希望通过G11节点的工艺跃迁与AI-class专项设计的协同推进，在容量、速率与能效三个维度上为AI时代的存储需求提供支撑。

不过关于G11 NAND的具体首发产品形态及容量规划，美光此次并未披露更多细节。