快科技10月19日消息，随着人工智能市场对高带宽内存（HBM）的需求不断攀升，英伟达正在推动一项前所未有的供应链整合计划。

根据最新消息，英伟达为下一代AI加速器开发的定制高带宽内存NVHBM，将促使长期竞争的三星电子和台积电展开合作，共同打造基于3纳米工艺的基底芯片（Base Die）。

报道称，三星在HBM产品开发上历来采用“交钥匙”模式，即核心存储芯片（Core Die）与基底芯片均由自身完成设计和制造。

然而，英伟达定制版NVHBM对制造流程提出了更严格的标准化要求，因此三星与台积电被要求共同参与3纳米基底芯片的开发工作，以形成统一产品规范，并减少后续质量验证步骤。

除三星外，美光和SK海力士同样被纳入这一计划。英伟达希望通过统一制造流程，使不同供应商提供的HBM产品能够实现一致性能表现。

此前已有消息称，未来Feyman架构GPU将采用定制HBM方案。英伟达表示，相比标准HBM4E产品，NVHBM预计可提供高达30%的额外内存带宽，同时将功耗降低最多15%。

为实现这一目标，英伟达要求三星、美光和SK海力士统一采用台积电3纳米工艺生产NVHBM的基底芯片；同时，核心存储芯片需采用第六代DRAM制程，也就是被称为“1c”的工艺节点。

推动所有供应商使用相同制造方案的主要原因，在于确保最终产品具备一致表现。如果基底芯片全部采用台积电3纳米工艺生产，英伟达便无需针对每家供应商分别进行独立验证，从而节省大量时间与工程资源，并加快产品导入速度。

不过，三星并未彻底放弃自身晶圆代工资源。目前该公司仍在评估自家代工产能方案，以防未来NVHBM需求超出台积电能够提供的生产能力。

与此同时，标准HBM产品的核心芯片和基底芯片研发工作仍将由三星自行负责。考虑到AI市场对HBM的需求持续爆发，即使需要与主要竞争对手台积电展开合作，三星也愿意接受这种特殊安排，以确保能够继续参与英伟达高价值AI供应链。

对于三星而言，HBM业务也正在成为改善晶圆代工业务财务表现的重要支柱。此前行业数据显示，三星代工部门亏损规模已从2025年的6.74万亿韩元缩减至2026年的3.92万亿韩元，降幅达到41%。随着AI服务器和加速器市场持续扩张，高利润率HBM产品被视为帮助三星进一步改善盈利能力的重要机会。

分析人士认为，英伟达推动NVHBM标准化生产，不仅有助于提升产品性能一致性和供应效率，也打破了传统存储厂商各自为战的模式。

在AI基础设施竞争日趋激烈的背景下，原本处于激烈竞争关系的三星与台积电，因英伟达的需求而形成临时合作关系，这种现象凸显出人工智能产业对全球半导体供应链格局正在产生越来越深远的影响。