快科技10月9日消息，ASML与光学合作伙伴蔡司近日在《微纳米图案化、材料与计量期刊》发表同行评审论文，正式公布目前最强光刻机High NA EUV接班人——Hyper NA EUV光刻机。论文称，这款接替High NA的设备预计约10年后准备就绪，可实现5nm单次曝光。

Hyper NA的核心是将数值孔径从High NA的0.55提升至至少0.75。数值孔径越大，光刻机收集光的能力越强，能分辨的电路特征就越小。论文指出，Hyper NA可印制小至5nm的电路特征，比现有High NA EUV设备缩小逾三分之一。

在技术复用方面，Hyper NA可最大化沿用现有基础设施。现有EUV光源可直接复用，蔡司已能制造精度足够的反射镜，新设备尺寸也仅比现有High NA机台略大。这意味着芯片制造商无需重建整套光刻生态。

不过，Hyper NA仍面临挑战。ASML已开始研发，但尚未承诺投入生产。论文也指出，现有光源可沿用，但若改用自由电子激光器，照明系统设计也不会改变。

在产业节奏上，英特尔目前已开始将High NA用于量产，三星和SK海力士计划2028年跟进，台积电则规划2030年采用。这意味着High NA在未来数年仍是先进制程的主力，Hyper NA则瞄准2035年之后的产业需求。

值得注意的是，该论文还对xLight等美国初创企业具有参考意义。xLight正在研发自由电子激光光源，特斯拉CEO马斯克曾暗示可能在得州Terafab芯片厂采用该技术。

此外，Substrate也在探索X光光刻路线，试图绕开ASML的EUV技术壁垒。