正文内容 评论（0）
Intel明年推出全新ZAM内存：单颗512GB替代HBM、功耗直降50%
复制
纠错
快科技9月28日消息，阔别40多年后，Intel有望重新杀回内存市场，手里有自己研发的XBM内存，也有跟软银合作开发的ZAM内存，后者进度更快。
ZAM全称为Z-Angle Memory（Z角内存），采用特殊Z角互连架构，将多颗DRAM存储芯片紧密堆叠，再通过专属互连技术连通。
这个Z角的设计就是针对HBM内存当前存在的问题而来的，因为HBM内存芯片是平放堆叠，不利于热量释放，而ZAM内存是垂直堆栈，有利于热量快速释放出去，因此功耗更低，积热也没那么严重，解决了HBM内存未来最难解决的散热、功耗问题。
相比HBM内存，ZAM的产品优势十分突出：单芯片最高容量可达 512GB，功耗较HBM降低40%-50%，Z形互连设计还进一步简化了制造工艺流程，为后续规模化量产奠定基础。
ZAM内存目前是Intel与软银子公司SAIMEMORY联合研发，并且获得了日本政府的官方资助，设定了为期3.5年的研发计划。
日本媒体现在进一步报道称，ZAM内存最快会在2027年开始试产，商业化则是面向2029年。
- 热门文章
- 换一波
- 好物推荐
- 换一波
- 关注我们
-
微博：快科技官方
快科技官方微博 -
今日头条：快科技
带来硬件软件、手机数码最快资讯！ -
抖音：kkjcn
科技快讯、手机开箱、产品体验、应用推荐...
豫公网安备 41010502003949号
