快科技8月27日消息，英特尔在近日举行的Hot Chips大会上详细披露了Intel 18A-P工艺的最新进展，其实测数据表现惊人，尤其在低电压环境下实现了30%的频率飞跃。

根据英特尔与研究机构Futurum Research公布的实测数据，在已进入生产阶段的x86芯片上，该工艺在0.5V的超低电压环境下，主频相较于传统FinFET架构直接提升了30%。

Intel 18A-P并非现有18A工艺的小修小补，而是深度整合了RibbonFET全环绕栅极晶体管与PowerVia背面供电技术。

简单来说，RibbonFET是一种全环绕栅极架构，它通过四面包裹通道来精准控制电流，能有效解决微米级制程下的漏电问题。

而PowerVia背面供电技术则是将电源线从芯片正面移至背面，彻底消除了信号线与电源线混杂带来的压降损失。

这两项技术的合力，使得芯片无论是在极致节能的移动端，还是在追求极限性能的服务器端，体质都得到了显著升级。

除了底层架构的变革，Intel 18A-P还引入了名为Power Boost的全新双接触架构设计，该设计通过超低电阻接点大幅拉高了驱动电流，在维持相同电容负载的前提下，让元件的运算速度提升了约10%。

此外英特尔还在芯片金属层中额外增加了两层顶部粗金属层，这一改动缓解了布线拥挤并降低了互连延迟，换取了额外2%至3%的频率增益。

在散热方面，英特尔通过改进晶圆键合层的导热材料，使整体堆叠热阻成功降低了20%至40%。这意味着处理器在高负载持续运送时，能拥有更多的温度余裕。

目前该工艺的首批主力产品已经确定，分别是针对服务器市场的Diamond Rapids以及针对消费级市场的Nova Lake处理器，预计将于明年正式投放市场展开正面竞争。