快科技8月24日消息，美光HBM设计架构研究员拉古·斯里拉马内尼在8月23日斯坦福大学举办的Hot Chips 2026半导体会议上警告，内存墙依然存在，且情况还在恶化。

所谓内存墙，是指GPU速度不断提升，但存储数据的高带宽内存却无法跟上其速度而导致的瓶颈。

会议展示的最新HBM封装技术上，两颗GPU与八颗12层HBM4集成于一体，其中约90%半导体面积都用于存储，存储面积是GPU的8倍多。芯片内部空间几乎全被存储占据，这正是用面积换带宽所付出的代价，也是内存墙问题日益严峻的直观体现。

拉古指出，AI加速器计算性能以每两年3倍速度发展，但同期HBM发展速度不到每两年2倍。这解释了高带宽内存为何还是喂不饱GPU，无论计算设备速度多快，数据通道狭窄终将因供给过慢而停滞。

硬件上，当前HBM制造相同存储容量消耗的晶圆数量约为普通DDR5的3倍。拉古强调，技术升级越快芯片尺寸越大、堆叠层数越多，这一差距还在扩大，内存行业将持续面临短缺。

散热方面，HBM是多层堆叠结构，底层产生的热量最多，但热量必须穿透所有堆叠层才能到达顶部的冷却系统，这使得散热效率大打折扣，液冷和芯片超薄技术正提供解决方案。

拉古表示，HBM的挑战需要内存厂商、GPU设计商、代工厂和封装厂商共同协作才能解决。