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三星HBM混合键合芯片量产推迟！2029年配合英伟达新GPU
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快科技7月22日消息，三星可能要到2029年才能量产使用混合键合技术的HBM芯片，届时将配合英伟达的下一代Feynman AI GPU。
混合键合是下一代HBM制造技术，通过移除DRAM层间的微凸点，减少层间空间，提供更好的性能，被认为是HBM的未来方向，与传统微凸点连接相比，混合键合能让芯片层与层之间贴合更紧密，数据传输更快、功耗更低。
三星正在从荷兰BE Semiconductor购买50台混合键合机器，计划今年底开始安装，2029-2030年大规模量产。
与此同时，三星还在开发定制HBM芯片，将逻辑芯片直接集成到HBM中，采用3D系统级封装（SiP）架构，进一步提升性能。
英伟达的Feynman AI GPU预计将在Rubin Ultra之后推出，将依赖3D堆叠和定制HBM，与三星的混合键合量产时间点相吻合。
三星的混合键合量产时间比预期晚，可能影响其在HBM市场追赶SK海力士的进度，但2029年与英伟达新GPU配合的时间点显示三星正在瞄准下一代市场。
你觉得三星的混合键合技术能追上SK海力士的HBM优势吗？
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