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英伟达与Meta押注AI材料 联合发力半导体底层基材研发
2026-07-21 16:04:13  出处:快科技 作者:鹿角 编辑:鹿角     评论(0)点击可以复制本篇文章的标题和链接复制对文章内容进行纠错纠错

快科技7月21日消息,据The Guardian,Meta与英伟达将共同参与英国AI初创公司CuspAI的核心材料发现项目,致力于推动半导体行业下一代制造材料的突破性研发。

CuspAI此前已获亚马逊创始人杰夫·贝佐斯及英国政府战略投资,本月初完成4.5亿美元融资,投后估值达26亿美元。

三方共同启动的“AI材料铸造厂”合作计划,旨在依托AI技术重构传统材料研发流程。英伟达将向CuspAI开放最新的大规模GPU加速计算集群,为复杂的材料物理化学模拟模型提供顶级算力支撑;Meta的基础AI研究团队则深度参与算法优化与大模型训练,提升材料筛选的精准度与效率。

CuspAI的核心技术路径,是通过AI模拟替代传统实验室反复试错的研发模式,将新材料的筛选验证周期从数年压缩至数月,效率提升数个量级。

项目聚焦当前半导体行业的核心瓶颈,重点研发性能更优异的新型介电材料、芯片内部导电通道材料及高导热散热材料,助力芯片制造商突破先进制程逼近物理极限的困境,为下一代更小制程、更高性能芯片的落地扫清材料障碍。

CuspAI创始人兼CEO Chad Edwards表示,过去半个世纪半导体行业的每一次重大跨越,几乎都离不开关键新材料的突破,而AI技术正将材料发现的效率推向前所未有的高度。

目前,“AI材料铸造厂”生态已吸引45家机构加入,涵盖全球顶尖学术实验室、国家级材料研究机构及头部半导体企业,各方将共同搭建开放共享的材料科学数据体系,打破传统行业数据孤岛的痛点。

CuspAI同时宣布将在新加坡设立区域总部,计划18个月内将全球团队规模从当前的120人扩张至300人以上,加速全球研发网络布局。

英伟达与Meta押注AI材料 联合发力半导体底层基材研发

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