阿斯麦：英特尔实现High NA EUV高数值孔径光刻量产应用--快科技--科技改变未来

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阿斯麦：英特尔实现High NA EUV高数值孔径光刻量产应用

2026-07-15 14:51:31 出处：快科技作者：鹿角编辑：鹿角评论(0)

快科技7月15日消息，据媒体报道，阿斯麦宣布，英特尔代工已在Intel 18A工艺节点上，利用阿斯麦高数值孔径极紫外（High NA EUV）光刻技术，量产部分Intel Core Ultra Series 3（代号Panther Lake）处理器，成为全球首家实现High NA EUV逻辑芯片高产量出货的企业。

双方表示，Intel 18A部分工艺层已完成High NA EUV双重认证，产品良率已达到现有NXE EUV平台的水平，后续将持续推进该技术在未来制程节点的应用。

18A是英特尔首个同时采用RibbonFET全环绕栅极晶体管与PowerVia背面供电技术的量产级节点，Panther Lake芯片已基于该工艺实现量产。

产能布局方面，英特尔计划将18A-P节点转移至Fab 62工厂进行长期大规模生产，14A节点预计2028年风险试产、2029年量产。

Fab 52工厂目前已部署4台ASML极紫外光刻设备。据设备业者此前透露，18A月产能预计2026年可达1万至1.5万片，2027年后有望提升至3万片水准。当前3万片的月产量已提前达成原定目标，显示出强劲的量产推进节奏。