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65nm做AI芯片能效远超A100!SK海力士这次玩大了
2026-07-11 11:19:34  出处:快科技 作者:知微 编辑:知微     评论(0)点击可以复制本篇文章的标题和链接复制对文章内容进行纠错纠错

快科技7月11日消息,SK海力士、TetraMem和南加州大学联合搞了个大事,发布了基于忆阻器(memristor)的存内计算(IMC)SoC(片上系统)芯片,专攻边缘AI设备。

这款芯片核心卖点是能效,在100MHz下达到21.3 TOPS/W,400MHz下也有11.9 TOPS/W,论文称其能效比英伟达A100的INT8模式高出一个数量级。

但性能就有点拉了,峰值只有2.54 TOPS,比微软Copilot+的要求低了16倍。

芯片用65nm老工艺制造,内含10个NPU(神经网络处理单元),9个跑传统操作,1个专门优化深度可分离卷积(DWC)。

优化后的NPU用了锯齿形交叉阵列拓扑,把选择线改成斜向走线,实现28个独立的3×3卷积并行,阵列利用率拉满。

忆阻器编程精度只有约2 bit,团队用双子阵列补偿技术提升到约4 bit,思路类似英伟达NVFP4,但一个走数字补偿,一个走模拟补偿。

65nm做AI芯片能效远超A100!SK海力士这次玩大了

实际演示用MobileNetV1Small跑测试,端到端推理精度80.36%,与4-bit软件模型相当,但10个NPU只用了6个,论文没披露满载的真实吞吐量。

SK海力士负责忆阻器器件开发和制造,用后端工艺把阻变存储单元集成在65nm CMOS电路上方。

这篇论文本质是个概念验证,能效数据亮眼但性能数字不太能打,不过对功耗敏感的边缘AI场景,这个方向值得关注。

65nm做AI芯片能效远超A100!SK海力士这次玩大了

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