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AI内卷新方向:闪迪CTO称“拼内存”时代开启 HBF明年整装待发
2026-05-29 07:49:54  出处:快科技 作者:鹿角 编辑:鹿角     评论(0)点击可以复制本篇文章的标题和链接复制对文章内容进行纠错纠错

快科技5月29日消息,闪迪(Sandisk)首席技术官阿尔珀·伊尔克巴哈尔近日表示,随着AI大模型、KV缓存(键值缓存)以及专家混合模型(MoE)等技术的发展,全球AI竞赛正日益“以内存为中心”。客户争相签署长期采购协议的力度,前所未见。

阿尔珀指出,当前AI领域的多个趋势都在将内存推向前所未有的关键位置。

首先,大语言模型变得更大、更智能,运行它们需要显著增加内存容量。其次,像OpenAI的ChatGPT、谷歌的Gemini和Anthropic的Claude这类系统,正越来越依赖所谓的KV缓存。

KV缓存可以理解为AI的“短期记忆”,帮助模型记住用户之前的输入和对话内容。随着上下文窗口不断增长,KV缓存对内存容量的需求也在急剧扩大。

与此同时,正逐步成为行业主流的“专家混合模型”——在一个大模型内部集成多个小型专家模型,仅针对特定请求调用所需部分——虽然节省了算力,却也带来了更高的内存需求。

近期,闪迪宣布达成5份供应协议,协议期限最长可达5年,预计将带来至少420亿美元的收入。

阿尔珀补充说,过去存储芯片制造商主要依赖自身对需求的预测,很难判断扩大的产能最终能否被市场消化。而现在,客户会主动做出预先承诺,签署长期采购协议,以确保未来的供应。

针对近期引发资本市场关注的堆叠式闪存(HBF)技术,阿尔珀也给出了开发与上市时间表。

与存储三巨头(美光、三星、SK海力士)采用堆叠DRAM打造的HBM不同,基于NAND Flash的HBF有望提供更高的容量和更低的成本,同时在带宽表现上接近HBM,因而被视为AI推理场景中的潜在新型内存方案。目前,闪迪正与SK海力士合作,共同制定HBF技术标准。

阿尔珀表示:“我们相信下一个重大突破将是HBF,我们正在设计一款HBF存储晶片,预计今年年底提供样品,随后配备控制器的完整产品计划于明年推出。

AI内卷新方向:闪迪CTO称“拼内存”时代开启 HBF明年整装待发

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