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存储厂一边扩产一边涨价!HBM4较上代跳涨近三成
2026-02-20 00:01:01  出处:快科技 作者:鹿角 编辑:鹿角     评论(0)点击可以复制本篇文章的标题和链接复制对文章内容进行纠错纠错

快科技2月19日消息,据媒体报道,面对持续发酵的全球存储器供应短缺,韩国两大半导体巨头正加速产能布局。

SK海力士计划将原定于2027年5月竣工的龙仁一期晶圆厂,提前至明年初(2—3月)启动试营运;三星电子也拟将平泽P4工厂的投产时间从原计划的第一季度,提前至今年第四季度。

据KB证券数据显示,截至今年2月,三星与SK海力士主要客户的存储器芯片需求满足率仅约60%,短缺程度较去年第四季度进一步加剧。

市场普遍预期,这一供应紧张态势将延续至2027年。花旗集团预测,今年DRAM与NAND闪存供给增速分别为17.5%和16.5%,而需求增速则高达20.1%和21.4%,供需缺口持续扩大。

在高带宽存储器领域,价格博弈同样升温。传三星新一代HBM4报价约为700美元,SK海力士有望跟进这一价格。

这不仅较现有HBM3E高出20%—30%,相较去年8月SK海力士供应给英伟达的HBM4(约550美元),涨幅也接近三成。市场预期,受存储器量价齐升带动,三星与SK海力士今年第一季营业利润有望达到30兆韩元。

与此同时,美国存储器大厂美光科技也加紧扩产步伐。该公司近日宣布,计划在新加坡投资240亿美元扩建晶圆制造厂,以应对全球存储器短缺,加速提升产能供给能力。

存储厂一边扩产一边涨价!HBM4较上代跳涨近三成

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