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突破PC2-10000大关——CL3极限内存测试
2006-12-14 03:30:00  出处:快科技 作者:驱动之家评测室 编辑:ZERO     评论(0)点击可以复制本篇文章的标题和链接

    [DDR2 800 CL=3-4-3-8基准测试]

这里我们仍然保持在DDR2 800状态,然后将延迟参数设置在3-3-3-8 2.4v。这一步非常顺利,不过通过测试我们发现这种设置下虽然可以稳定运行,但是显然不是最佳状态。其中我们也尝试使用其他主板,包括ASUS P5B-B Deluxe,Gigabyte P965 DQ6。不过结果还是一样,所以我们进行了调整,根据测试tRCD值需要设置在4才能达到最佳状态,所以我们选择设置了3-4-3-8这个参数,这也是该内存表现最佳的状态。

前面说过CAS和RAS共同决定了内存寻址。tRCD是指RAS to CAS Delay(RAS至CAS延迟),这个参数对系统性能的影响并不大,因为程序存储数据到内存中是一个持续的过程。在同个程序中一般都会在同一行中寻址,这种情况下就不存在行寻址到列寻址的延迟了。不过这次测试中,我们还是非常遗憾的使用了3-4-3-8的参数,因为它确实要比3-3-3-8更快。


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