[超低延迟内存分析]

GeIL DDR2-800 Ultra Low Latency内存，最为突出的就是Low Latency，也就是低延迟的设置，我们知道高频率和低延迟是内存提升性能的不二法宝。选购内存时，玩家也都知道，同频率下时序参数越高的内存其系统带宽也会随之增长，也就是要尽量选用CAS/tRCD/tRPD/tRAS参数值低的内存。

下面我们就简单回顾一下内存延迟参数：

内存的时序参数一般简写为5/5/5/15 /1T的格式，分别代表CAS/tRCD/tRP/tRAS/CMD的值。

这些参数又是如何影响系统性能的呢？

CAS:

CAS意为列地址选通脉冲(Column Address Strobe 或者Column Address Select),CAS控制着从收到命令到执行命令的间隔时间。在整个内存矩阵中，因为CAS按列地址管理物理地址，因此在稳定的基础上，这个非常重要的参数值越低越好。

tRCD:

根据标准tRCD是指RAS to CAS Delay（RAS至CAS延迟)，对应于CAS,RAS是指Row Address Strobe，行地址选通脉冲。

tRP:

tRP指RAS Precharge Time ，行预充电时间。也就是内存从结束一个行访问结束到重新开始的间隔时间。

如果CAS延迟可以设为较低值如3，这也能在一定程度上弥补内存带宽。因为此时CPU和内存交换数据时间隔的时间大大减少了。如果用户经常使用的程序并不需要大的带宽，低CAS延迟也会带来显著的性能提升。当然如果能够获得更高的频率和更低的延迟最好，但是这就需要非同一般的颗粒及模组才能够实现。

而GEIL 这款Ultra系列低延迟内存就采用了镁光D9颗粒，8枚内存芯片，6层PCB设计，做工精良。在MT将DDR2内存颗粒制程由110纳米转向90纳米后，大D9（FATBODY）就很少见到了，取而代之的就是现在很多内存厂商封装记忆体时优先选用的小D9颗粒。此颗粒由于采用制程更加先进的65纳米工艺，进而发热量更低，但其对电压的敏感程度远不如大D9。也就是说，想要在超频时达到高频低延迟兼得仅靠增加内存电压是不够的，还有在具体的调教上多下工夫。

GeIL Ultra DDR2-800 Plus 1GB内存模组可以在2.4V工作电压下以3-3-3-8的时序设定工作在JEDEC认证的最高规格DDR2-800上，CAS延迟为3的水平已经是DDR2 SDRAM内存模组能够使用的最低极限！而目前主流主板均可以提供2.4V 及以上DIMM电压也越来越多，而GeIL Ultra DDR2-800 Plus的目标用户--发烧玩家们来讲，这更不是问题。下面我们就来进行实际测试。