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突破PC2-10000大关——CL3极限内存测试
2006-12-14 03:30:00  出处:快科技 作者:驱动之家评测室 编辑:ZERO     评论(0)点击可以复制本篇文章的标题和链接

    [超频玩家追求极限频率]

Super Pi突破9秒,CPU频率突破7GHz,3DMark01得分突破90000,这一个个极限达到的背后,一款匹配的内存是不可或缺的。随着CPU,GPU的飞速发展,整个系统对内存的要求也越来越苛刻,往往一对极品的内存将成为超频玩家最亲密的拍档。

Corsair在Computex2006上展示了DDR2-1250(PC2-10000)。是符合NVIDIA EPP标准,它提供了当今DDR2内存最高标准:PC2-10000。


突破PC2-10000大关——CL3极限内存测试

近日我们拿到了一对广受超频玩家好评的Geil内存,橙色的外壳令其非常抢眼,这是一款采用镁光小D9颗粒的产品。


突破PC2-10000大关——CL3极限内存测试

我们知道采用这种颗粒内存均被打造成顶级产品,包括CORSAIR、OCZ的少量高端产品均采用此颗粒。更低的延迟、更高的频率,这无论对于追其极致的游戏玩家还是超频爱好者都是不可多得的。那么金邦这对内存能有什么样的表现呢,能否突破PC2-10000的纪录,下面我们就对GeIL DDR2 800 Ultr a Low Latency内存进行详细的测试。

    [金邦引进Ultra内存]

近期金邦大陆区引进多款国外畅销的产品,其中一款内存与GeIL PC-8500 MultiSpec Kit同属一个系列:GeIL DDR2-800 Ultra Low Latency,这款产品即采用极品小D9颗粒。


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简单的散热片外表令内存显得极为朴实


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背面表有较详细的产品信息及编号


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正面防伪标签上标注了常规的参数,CL=3-3-3-8表明了这条内存不凡的体质


突破PC2-10000大关——CL3极限内存测试

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散热器的紧固采用了内存两端压合卡扣的设计,方便安装但是拆卸将比较费力。散热片与颗粒的贴合程度较好。

    [超低延迟内存分析]

GeIL DDR2-800 Ultra Low Latency内存,最为突出的就是Low Latency,也就是低延迟的设置,我们知道高频率和低延迟是内存提升性能的不二法宝。选购内存时,玩家也都知道,同频率下时序参数越高的内存其系统带宽也会随之增长,也就是要尽量选用CAS/tRCD/tRPD/tRAS参数值低的内存。

下面我们就简单回顾一下内存延迟参数:

内存的时序参数一般简写为5/5/5/15 /1T的格式,分别代表CAS/tRCD/tRP/tRAS/CMD的值。

这些参数又是如何影响系统性能的呢?

CAS:

CAS意为列地址选通脉冲(Column Address Strobe 或者Column Address Select),CAS控制着从收到命令到执行命令的间隔时间。在整个内存矩阵中,因为CAS按列地址管理物理地址,因此在稳定的基础上,这个非常重要的参数值越低越好。

tRCD:

根据标准tRCD是指RAS to CAS Delay(RAS至CAS延迟),对应于CAS,RAS是指Row Address Strobe,行地址选通脉冲。

tRP:

tRP指RAS Precharge Time ,行预充电时间。也就是内存从结束一个行访问结束到重新开始的间隔时间。

如果CAS延迟可以设为较低值如3,这也能在一定程度上弥补内存带宽。因为此时CPU和内存交换数据时间隔的时间大大减少了。如果用户经常使用的程序并不需要大的带宽,低CAS延迟也会带来显著的性能提升。当然如果能够获得更高的频率和更低的延迟最好,但是这就需要非同一般的颗粒及模组才能够实现。


突破PC2-10000大关——CL3极限内存测试

而GEIL 这款Ultra系列低延迟内存就采用了镁光D9颗粒,8枚内存芯片,6层PCB设计,做工精良。在MT将DDR2内存颗粒制程由110纳米转向90纳米后,大D9(FATBODY)就很少见到了,取而代之的就是现在很多内存厂商封装记忆体时优先选用的小D9颗粒。此颗粒由于采用制程更加先进的65纳米工艺,进而发热量更低,但其对电压的敏感程度远不如大D9。也就是说,想要在超频时达到高频低延迟兼得仅靠增加内存电压是不够的,还有在具体的调教上多下工夫。

GeIL Ultra DDR2-800 Plus 1GB内存模组可以在2.4V工作电压下以3-3-3-8的时序设定工作在JEDEC认证的最高规格DDR2-800上,CAS延迟为3的水平已经是DDR2 SDRAM内存模组能够使用的最低极限!而目前主流主板均可以提供2.4V 及以上DIMM电压也越来越多,而GeIL Ultra DDR2-800 Plus的目标用户--发烧玩家们来讲,这更不是问题。下面我们就来进行实际测试。

    [测试平台及设定]


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测试平台主板:ASUS P5B-E Plus

    [DDR2 800 CL=5-5-5-15基准测试]

测试中首先保持CPU设定不变,在内存默认参数及最低延迟下进行测试。然后通过主板芯片组提供的内存频率比例调节进行调整,分别将内存超频至DDR2 1000及最低延迟的设定,DDR2 1200默认参数设定下的性能。如果内存仍具有超频潜力,那么将通过提高CPU外频及分频比例来继续提高内存的运行频率。


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    [DDR2 800 CL=3-4-3-8基准测试]

这里我们仍然保持在DDR2 800状态,然后将延迟参数设置在3-3-3-8 2.4v。这一步非常顺利,不过通过测试我们发现这种设置下虽然可以稳定运行,但是显然不是最佳状态。其中我们也尝试使用其他主板,包括ASUS P5B-B Deluxe,Gigabyte P965 DQ6。不过结果还是一样,所以我们进行了调整,根据测试tRCD值需要设置在4才能达到最佳状态,所以我们选择设置了3-4-3-8这个参数,这也是该内存表现最佳的状态。

前面说过CAS和RAS共同决定了内存寻址。tRCD是指RAS to CAS Delay(RAS至CAS延迟),这个参数对系统性能的影响并不大,因为程序存储数据到内存中是一个持续的过程。在同个程序中一般都会在同一行中寻址,这种情况下就不存在行寻址到列寻址的延迟了。不过这次测试中,我们还是非常遗憾的使用了3-4-3-8的参数,因为它确实要比3-3-3-8更快。


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    [DDR2 1200 CL=5-5-5-15基准测试]

鉴于之前测试的表现,我们将FSB:DRAM调节为2:3,也就是将内存设定在DDR2 1200,稳定性测试通过,这已经绝对的高频率了。


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    [DDR2 1000 CL=3-4-3-8基准测试]

在前面3-4-3-8低延迟设定下,我们超更高的频率挺进,目标DDR2 1000。此时FSB:DRAM=4:5,通过稳定性测试。


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    [内存延迟、频率高低对性能影响]

测试到这里可以做一个小结了,采用小D9颗粒的 Geil Ultra系列内存出类拔萃。无论是高频率DDR2 1200还是低延迟CL=3-4-3-8下DDR2 1000的达成,均达到了目前顶级的水平。由于测试中CPU一直保持在400*9=3.6GHz下,只是通过变换内存分频的比例调整内存的变化。因此我们也可以考察一下内存在不同情况下对整体性能的影响。


突破PC2-10000大关——CL3极限内存测试

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    [CL=3-3-3-8低延迟极限超频测试]

在最低延迟参数及DDR2 1000的频率下,我们将分频比例 调节为2:3,然后逐步提升处理器外频,以5MHz为单位调节,最终系统稳定在9*380=3420MHz,通过之前的测试我们知道,这个频率下CPU完全稳定,而此时内存运行在570MHz,即DDR2 1140——这是目前在CAS=3极限参数下,最高的内存频率了。


突破PC2-10000大关——CL3极限内存测试

此时内存表现完全正常,由于测试中,虽然由于CPU主频有所降低,但是在SF得分上,都比较突出。


突破PC2-10000大关——CL3极限内存测试

    [CL5-5-5-15 极限频率测试]

考验这对非凡内存的最后时刻到了,这次的目标是突破PC2-10000标准,即DDR2 1250,这个成绩,之前只有海盗船公开演示中令我们大开眼界。


突破PC2-10000大关——CL3极限内存测试

Corsair在Computex2006上展示了规格最高的DDR2-1250 2.5v(PC2-10000)XPERT系列产品

测试中,内存延参数保持默认值5-5-5-15,同样进行FSB:DRAM=2:3,CPU倍频9设置。最终系统稳定在9*425=3825MHz,内存运行在DDR637.6MHz,即DDR 2 1175。此时内存已经突破PC2-10000,达到空前的PC2-10200。


突破PC2-10000大关——CL3极限内存测试

这里测试中各部件已经运作在较高的范畴,如果要想有进一步突破,还需要更强劲的配件及相关散热。当然此时内存也稍显疲态,由于FSB:DRAM不可能完成同步,相信潜力的进一步挖掘也将相当有限。

    [总结]

GeIL DDR2-800 Ultra Low Latency 内存令人印象深刻,CL=3-4-3-8 @DDR2 1140;CL=5-5-5-15@DDR2 1275。表现可谓无可挑剔,这其中镁光小D9颗粒的贡献不可忽视,但同时金邦内存优秀的设计及调教更是如虎添翼。唯一遗憾的是,测试中发现,这条内存参数上Trcd虽然可以设置为3,但是设置为4时才能达到最佳状态,不过前文已经分析,即便使用挑剔的眼光这一点也无大碍,更是不能掩盖GeIL DDR2-800 Ultra Low Latency成为目前最出色内存之一的实力。


突破PC2-10000大关——CL3极限内存测试
突破PC2-10000大关——CL3极限内存测试

需要说明的是测试中只调节了几个主要参数,其中Tras也设置在非常保守的数值,对于DIY玩家完全可以通过优化其它参数,获得更佳的性能,不过调教上可能就要花费些力气。而唯一要注意的是主板内存电压设置要满足达到2.4v及以上的设定。同时GEIL这款产品也拥有1GB*2规格,相信超频能力也非常值得期待(一般双面大容量产品可能会稍弱)。

由于GeIL DDR2-800 Ultra Low Latency出色的性能和相对合理的价格,这组内存已经在国内外十分畅销,国内更是有一些网站已经开始组织团购活动:


突破PC2-10000大关——CL3极限内存测试

近日苍者极限论坛透露的一条最新消息也值得超频玩家关注:

管他D9還D10,再也不要看美光臉色了,上DDRII1000的國產顆粒模組即將現身?!

http://forum.coolaler.com/showthread.php?t=143009)


突破PC2-10000大关——CL3极限内存测试

在滄者一號包覆下的模組是百分百國產模組

从上面coolaler.com的消息来看,高品质内存颗粒及模组可选择余地未来将越来越大,不过目前对于追求极限的超频爱好者,小D9颗粒可能还是最好的选择。介于GeIL DDR2-800 Ultra Low Latency系列极为出色的性能和相对合理的价格,我们推荐注重品质的游戏玩家和超频爱好者选购。

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