• 快科技
  • 中文科技资讯专业发布平台
ARM、台积电宣布第一款商用7nm芯片:明年初流片
2016-12-09 15:12:18  出处:超能网  作者:bolvar 编辑:万南   点击可以复制本篇文章的标题和链接

TSMC、三星不仅要争抢10nm工艺,再下一代的7nm工艺更为重要,因为10nm节点被认为是低功耗型过渡工艺,7nm才是真正的高性能工艺,意义更重大。

现在ARM宣布已将Artisan物理IP内核授权给赛灵思(Xilinx)公司,制造工艺则是TSMC公司的7nm。该芯片明年初流片,不过2018年才会正式上市。

ARM/宣布第一款商用7nm

赛灵思是重要的FPGA芯片公司,也是TSMC公司的大客户之一,TSMC的新工艺大多是FPGA芯片首发,这次合作也不例外

ARM授权赛灵思公司在TSMC公司的7nm工艺上使用自家的Artisan物理IP内核,后者是ARM开发的PGA(Power Grid Architect),可以优化集成电路的电源栅极,号称减少10%的芯片面积,提升20%的面积利用率。

ARM/宣布第一款商用7nm
ARM、赛灵思首发TSMC的7nm工艺

根据ARM、赛灵思的信息,该物理IP预计在明年初流片,2017年出样给客户,不过正式上市要等到2018年。这个时间点跟TSMC宣布的7nm量产时间差不多,该公司之前多次强调会在2018年量产7nm工艺。

ARM/宣布第一款商用7nm
TSMC的7nm工艺优势

那么7nm工艺到底能带来多大的提升?恰好TSMC这两天公布了部分7nm工艺细节,他们已经使用7nm工艺试产了256MB SRAM电路,cell单元面积只有0.027mm2,读写电压0.5V,与16nm工艺相比速度可以提升40%,或者功耗降低65%。

不过TSMC这个对比中还隔了一个10nm,他们之前也公布过与10nm工艺的对比,7nm工艺下晶体管速度提升20%,或者能耗降低40%

文章价值打分
当前文章打分0 分,共有0人打分
文章观点支持

+0
+0

快科技客户端

扫描安装快科技APP

驱动之家微信公众号

扫描关注驱动之家