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北京IDF 2013首日见闻:变形本会有未来么?
2013-04-10 22:11:28  出处:快科技 作者:上方文Q 编辑:上方文Q     评论(0)点击可以复制本篇文章的标题和链接

【技术展示区:亮点多多】

IDF不仅仅是Intel自己的大事,也是一场行业聚会,Intel的众多合作伙伴都会带来自己的最新技术进行展示,既有消费级的,也有非常专业的。这里只挑其中一部分和大家分享。

北京IDF 2013首日见闻:变形本会有未来么?

北京IDF 2013首日见闻:变形本会有未来么?

SK海力士的3D堆叠NAND闪存晶圆。这年头,什么芯片都流行立体。海力士的叫做“SMArt”(堆叠内存阵列晶体管),将会取代现有的2D NAND闪存技术,号称可靠性更佳。

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这边内存也立起来了,也有新名字“HBM”(高带宽内存),基于TSV硅穿孔技术和Wide I/O,特别针对高带宽应用而优化,还能提高能效,而且既可以用于DDR,也能用于GDDR。是在说GDDR6么?

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海力士NAND闪存、固态硬盘展示和规格。看右上角,1xnm工艺。

通过和现场海力士工作人员交流,闪存、内存工艺上的一个疑问得到了解答。不同于CPU、GPU等的工艺都是确切的多少纳米,闪存、内存都只说一个级别,比如20nm class。为什么这样?海力士表示这是因为闪存、内存颗粒制造厂商很多,大家工艺相近但又不完全相同,21nm、22nm、23nm可能都有,所以干脆只说一个级别。当然明说的也有,比如美光。

那么2xnm系列也可能有不同版本,比如先是25-30nm、然后是20-25nm两个范围内,如何区别?这就要上字母了:x、y、z。

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DDR4内存也来了,单颗容量4Gb(512MB),单条容量8-32GB,不过都是服务器的条子,没有桌面的DIMM。海力士自己也表示不好说DDR4内存什么时候能够上市,关键还得看Intel的脚步,但是Intel现在并不急着上DDR4,明年才会引入,而且初期只是服务器上,消费级平台至少得后年。

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DDR3、DDR3L内存条。

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DDR3、GDDR5颗粒,注意后者的频率已经达到疯狂的7GHz!

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海力士的CMOS图像传感器晶圆

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从VGA到800万像素,完整的产品线。1300万的将在年底推出。

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LPDDR2、LPDDR3移动内存,以及eMMC存储、LPDDR3/2内存的统一封装技术“CI-MCP”,容量、工艺、频率都可以各不相同。用在平板机里,你懂的。

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免费的开源视频转码工具HandBrake已经支持Intel Quick Sync硬件加速,不但可以大幅降低CPU占用率,转码速度也快得多,可达110FPS(软转码还不到30FPS)。新版即将发布,使用这个工具的不妨关注。

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4K×2K超高清视频展示,核芯显卡硬解码。

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快播的WiDi无线显示适配器、联想的WiDi接收器。

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全透明机箱。

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