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GlobalFoundries吹上瘾了:2015年真10nm
2013-02-10 17:05:35  作者:上方文Q 编辑:上方文Q   点击可以复制本篇文章的标题和链接
 
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凭借一贯雷声大雨点小、说到做不到的特性,GlobalFoundries已经在形象上有些不堪入目。虽然他们也承认自己遇到了一些问题,但并不妨碍对美好前景的展望,比如10nm工艺,就号称会在2015年实现,而且是真正的10nm。

GlobalFoundries执行副总裁Mike Noonen在通用平台论坛会议上很内疚地说,该公司的确遇到了麻烦,并且很直白地说32nm HKMG工艺并没有做到他们期望中的水平——AMD内牛满面。

不过随后,他又展示了一份很霸气的路线图。今年晚些时候投产20LPM工艺,明年初就上马14XM,仅仅再过一年就是10XM——这种速度,Intel看了也要吐血三升啊。

GlobalFoundries吹上瘾了:2015年真10nm

GlobalFoundries 20LPM是一项全新的工艺,虽然没有FinFET而依旧是平面晶体管,但至少转向了gate last。正如名字里LPM字样所标明的,它是一种注重低功耗和移动性的工艺技术。

14XM就不是全新的了,而是14nm FinFET晶体管加上20nm中后端(MEOL/BEOL),也就是说只有晶体管是新的,而附带的XM后缀则代表极致移动性(Extreme Mobility)。

GlobalFoundries表示,这种混合工艺能够充分利用现有资源、降低研发和制造成本、简化客户方案设计难度,但归根到底还是一种“作弊”行为,技术上无法突破而已。

不过再往后的10XM就是从里到外新设计的了,不但晶体管进化到第二代FinFET,中后端也是新的,但至于能否在2015年上线投产,估计大多数人都对幻灯片大厂没什么信心。

 

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