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GlobalFoundries宣布14nm移动工艺:三维FinFET晶体管
2012-09-24 13:46:37  作者:上方文Q 编辑:上方文Q   点击可以复制本篇文章的标题和链接
 
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虽然在32nm、28nm工艺上都不怎么顺利,20nm也尚未投产,GlobalFoundries今天又宣布了更加未来化的“14nm-XM”,将半导体工艺推进到14nm阶段,并首次引入三维的FinFET晶体管。Intel 22nm 3-D晶体管就与之有异曲同工之妙。

该技术主要面向下一代移动设备,其中XM就代表着“eXtreme Mobility”(极致移动),是一套真正为移动SoC芯片完全优化的非平面架构,号称对比20nm两维平面晶体管技术同等性能前提下可以带来40-60%的电池续航时间改进,同等电压可带来20-55%的性能提升。

GF 14nm-XM是一套模块化的工艺架构,融合了14nm FinFET、20nm-LPM,其中后者即将投产,借助它的成熟性可以实现向FinFET技术的快速、平滑迁移。

14nm-XM目前还处于研发阶段,纽约州新建的Fab 8晶圆厂内正在进行硅测试,并提供初期的流程设计工具包(PDK),预计2013年初完成客户方案的流片,2014年批量投产。如果20nm工艺能在明年实现投产,那么这次过渡将成为GF历史上最快的一次,仅仅一年就迈过一个时代。

GlobalFoundries宣布14nm移动工艺:三维FinFET晶体管
14nm FinFET三维晶体管示意图

GlobalFoundries宣布14nm移动工艺:三维FinFET晶体管
可以转向FinFET三维技术的平面设计方案

GlobalFoundries宣布14nm移动工艺:三维FinFET晶体管
FinFET晶体管技术概览

GlobalFoundries宣布14nm移动工艺:三维FinFET晶体管
20nm LPM加上14nm FinFET就是14XM

GlobalFoundries宣布14nm移动工艺:三维FinFET晶体管
14/20nm性能、功耗改进对比

GlobalFoundries宣布14nm移动工艺:三维FinFET晶体管
14/20nm性能、功耗改进对比

GlobalFoundries宣布14nm移动工艺:三维FinFET晶体管
GF FinFET技术研发历程

GlobalFoundries宣布14nm移动工艺:三维FinFET晶体管
GF工艺路线图:20nm近在眼前

GlobalFoundries宣布14nm移动工艺:三维FinFET晶体管
GF工艺路线图:20nm到14nm只要一年?

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