通用平台技术论坛(CPTF)大会上，GlobalFoundries宣布了他们的最新成果，业内第一家使用3D 14nm-XM FinFET晶体管工艺制造了一颗ARM Cortex-A9双核心处理器，而相关研究和模拟表明，14nm-XM工艺的能效要比现在的28nm-SLP高出两倍之多。

GlobalFoundries、ARM的合作研究发现，28nm-SLP工艺生产一颗高性能、高能效的ARM处理器一般需要使用12轨库(12-track libraries)，14nm-XM FinFET工艺生产更高性能、更高能效的则只需要9轨库，核心面积可以进一步缩小。在同样的功耗下，14nm可以达到的频率比28nm要高出61％，而在同样的频率下，14nm的功耗则要比28nm低了62％。

综合来讲，如果以DMIP/mW为指标，14nm-XM的能效能超过28nm-SLP的两倍，而核心面积缩小一半。

ARM方面也很兴奋，其执行副总裁、物理IP部门总经理Dipesh Patel表示：“这些初步结果展示了FinFET技术应用于ARM SoC处理器的潜在好处。通过在制造工艺技术上的早期合作，GlobalFoundries、ARM得以发现并解决了SoC设计中的难题，降低客户采纳时的风险。”

GlobalFoundries 14nm-XM工艺在20nm-LPM后端的基础上融合了14nm FinFET，可以快速投产上市，其鳍片间距为48nm，估计和Intel FinFET技术差不多。

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