[FB-DIMM内存规范]

Intel在前不久的IDF论坛上宣布了Memory Implementers Forum（MIF）新组织，以开发FB-DIMM内存规范。FB-DIMM是一种全新的原生串行内存总线标准，替代目前的DIMM设计。不过FB-DIMM仅仅是内存规范，而并非内存芯片技术，但是这肯定将带给内存模块以惊人的变化，甚至可能彻底改变目前的内存架构与内存控制器设计。

FB-DIMM就是全缓冲内存模组，其主要目的是解决普通的DDR 与 Registered DDR内存的发展局限性。目前的DIMM内存模组采用一种“短线连接”（Stub-bus）的拓扑结构。在这种结构中，每个芯片与内存控制器的数据总线都有一个短小的线路相连，这样会造成电阻抗的不连续性，从而影响信号的稳定与完整，频率越高或芯片颗粒越多，影响也就越大。随着时钟频率的提高，这种结构对内存通道内芯片数量的限制作用也越来越大。速度与容量间存在着一定的反比关系。因此，迄今为止，速度、价格、容量这三个内存的指标在普通的DDR内存上并不可能同时实现。

现在我们以DDR内存为例，在DDR内存从DDR200提升到DDR2 533时，可以安排的内存通道就急剧减少了，DDR200可以使用四条内存通道或插槽，但在DDR2 533上就很难实现。这对未来的更加高要求的应用并不是个好消息。

FB-DIMM内存与普通DDR内存有了很大的变化。首先，DIMM与内存控制器之间的数据与命令传输不再是传统的并行线路，而采用了类似于PCI-Express的串行接口多路并联的设计，以串行的方式进行数据传输。另外，每个DRAM芯片不再直接与内存控制器进行数据交换。事实上，除了时钟信号与系统管理总线的访问，其他的命令与数据的I/O都要经过位于DIMM上的内存缓冲器（Memory Buffer）的中转，从而解决了 “短线连接”（Stub-bus）的拓扑结构带来的弊端。由于采用串行连接，可以用更少的引脚建立更多的内存通道，也是由于串行连接，还可以使通道内的芯片容积大幅度增加，从而扩大了内存子系统的容量。