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发展之路——未来内存技术解析
2004-09-02 10:38:00  出处:快科技 作者:转载自《个人电脑》 编辑:     评论(0)点击可以复制本篇文章的标题和链接

    [内存储器革命:MRAM(2)]

VRGC的应用

在高密度MRAM模块中,会遇到磁的不规则漩涡(magnetic anomalies vortices),这种漩涡引起了磁极的老化,甚至导致读写错误。这也就是说,MRAM的寿命和稳定性会随着MRAM容量的增加而面临严峻的考验。为此,VERTICAL RING GMR CELLS技术(垂直环绕巨磁阻单元)诞生了,它的模式如图5。


发展之路——未来内存技术解析

很明显,VRGC让磁层有了软硬之分。大家可不要小看这一简单的变化,因为这样一来,垂直排列的巨磁阻会将不规则漩涡基本消除,很有效地解决了MRAM的老化问题。此外,为了加强MRAM的稳定性,避免读写错误,VRGC技术在每一基本单元额外加入了一对平行字符线,这有点类似目前普遍应用于服务器内存的校验功能。

MRAM与其它存储器的比较

对于存储器而言,重要的技术指标无非就是速度、是否为非易失性、功耗、成本、体积、寿命等。在这些方面,目前已经有很多产品做出了各种各样的努力,但是始终只能偏重某一方面,而不是面面俱到。也许大家最为看重的是MRAM的非易失性,这的确是很诱人的,毕竟它让使用MRAM内存的电脑可以像电视或者收音机那样能够马上启动。但是话又说回来,除了MRAM,目前也有不少非易失性存储器,其中包括大家最为熟悉的磁盘(硬盘、软盘)、Flash Memory(闪存)和EPROM。

毫无疑问,作为内存储器,磁盘是绝对不行的,因为速度实在太慢了,尽管它的容量很大。至于Flash Memory中极为流行的Compact Flash、SmartMedia和Memory Stick则在寿命上完全不能符合内存储器的要求。一般的Flash Memory在经过大约10000次读写周期以后就会报废,而内存储器的读写是相当频繁而且无序的。要是强行将Flash Memory作为内存储器使用,那么也许满负荷工作200个小时就报废了。当然,闪存用于数码相机、MP3播放机等信息家电产品还是很合适的。最后就是EPROM,也就是大家主板上BIOS块。它具有较快的速度,但是体积和成本都是令人无法想象的,而且寿命也一般,更是不能用作内存储器。

与面前流行的DDR或是RDRAM相比,MRAM的优势依然明显。撇开令人垂涎欲滴的非易失性不谈,仅在速度、功耗和体积上,MRAM也有较大的优势。下面,我们把这些存储器种类进行一番简单的对比,让大家有一个更加感性的认识,见下表。

MRAM的前景

自从Honeywell成功提出MRAM原型之后,IBM和摩托罗拉等厂商便积极开始了实质性的研发工作。相比之下,目前似乎是摩托罗拉更为主动一些。因为半年之前,摩托罗拉在国际固体电路会议上首次展示其256KB MRAM通用存储器芯片,这款芯片是摩托罗拉实验室与DigitalDNA 实验室共同合作的结果,其结构是16KB×16,读写周期小于50ns,在3伏特电压下读功耗为24mW。该芯片的研制成功是MRAM工业界发展过程中的一个的里程碑。按照摩托罗拉的说法,在2004年将进行MRAM 样品的批量生产。

当然,蓝色巨人IBM的实力也是不容忽视的。为了更好地争夺MRAM市场的先机,IBM还与著名的Infineon Technologies公司正式联手发展,而且这种合作并不仅仅是技术与生产的组合,而是研发上的互相支持,这是更加具有意义的。此外,在IBM的官方网站中,我们也能看到IBM实验室对于MRAM的重视,仅是研发经费就让人感到吃惊。而且IBM对于MRAM的前景非常看好,并据IBM透露,最初生产的芯片存储能力为256M,随着技术的不断革新,芯片存储能力将进一步提升,而读写周期将控制在10ns以内,功耗将小于8mW。

除了以上两大巨头之外,日韩的实力也令人刮目相看。韩国的三星电子于2000年成立了国家级自旋电子研究所,因此在经费和技术上完全具有与IBM或者摩托罗拉一拼的实力。而日本日立和松下电子也是蠢蠢欲动,尽管它们在MRAM上的起步晚了一些,但是日本厂商传统的强大研发实力还是让人对其充满信心。

毫无疑问,MRAM在几年后逐步普及是大势所趋,各国的大型公司也为之挥金如土。之所以这样,是因为MRAM的应用范围不仅仅局限于PC,而是所有的电子产品,包括移动电话、以数码相机为代表的消费类电子产品,甚至在航天工业中得到应用,为航天系统提供关键性的存储器部件。

就目前的MRAM而言,当务之急就是尽快克服所有的非技术性难关,进入大规模的量产阶段,以此来不断降低成本、刺激市场、奠定市场份额。不过,从DRAM的发展历程来看,MRAM也许还有很长一段路要走。也许我们今天的讨论的MRAM还是最初级的MRAM,将来的MRAM在各方面的性能将更加强大,这点就像当初的EDO与现在的RDRAM的差距一样。

只有形成竞争机制后,产品才能得到健康正常的发展,目前内存技术正是处于这一良性循环阶段。今后内存技术发展格局将是扑朔迷离、难以预测的,我们将拭目以待。

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