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效法GlobalFoundries:联电也玩14nm+20nm混合工艺
2012-11-05 10:05:40  作者:上方文Q 编辑:上方文Q   点击可以复制本篇文章的标题和链接
 
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说起半导体代工,大家首先想起的往往是台积电、GlobalFoundries这俩大头,而和台积电一样来自台湾的联电同样是代工行业不可忽视的一股力量,只是比较低调而已。联电近日宣布,将会积极开发14nm工艺,并且和GlobalFoundries 14nm-XM技术类似,也采用20nm工艺的后端元素。

联电CEO孙世伟近日对分析人士透露:“根据IBM FinFET技术授权,我们决定在20nm工艺的基础上开发14nm FinFET(场效应晶体管)技术。它将提供最优化的低功耗和高性能方案,并且弥补双重图案光刻带来的额外成本。

GF 14nm-XM是一套模块化的工艺架构,融合了14nm FinFET、20nm-LPM两代工艺技术,其中后者即将投产,借助它的成熟性可以实现向FinFET技术的快速、平滑迁移。看起来联电也认可这种做法,准备如法炮制。

更重要的是,联电自己的20nm工艺也要使用FinFET晶体管技术,同样可以做到快速升级。

GF 14nm-XM准备在2014年量产,联电的则未披露具体时间表,不过考虑到联电的28nm HKMG工艺也要到2014年初才会量产,14nm FinFET更不知道要何年何月了,估计怎么也得2016-2017年了。

至于如何设计原生的14nm后端制造流程,联电也未做出任何解释。

联电正在与客户开发的其它新技术还有:HV、嵌入式非易失性存储、BSI CMOS图像传感器、2.5D晶体管、3D IC TSV硅穿孔工艺。

效法GeForce :联电也玩14nm+20nm混合工艺

 

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