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台积电展望7nm:450毫米晶圆、极紫外光刻必须有
2012-10-27 11:30:33  作者:上方文Q 编辑:上方文Q   点击可以复制本篇文章的标题和链接
 
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台积电近日对“遥远”未来的半导体技术进行了展望,再次强调了450毫米大尺寸晶圆、极紫外(EUV)光刻技术的重要性,声称7nm工艺绝对离不开它们,甚至10nm的时候就需要。

台积电CEO兼董事长张忠谋指出:“极紫外光刻和450毫米(晶圆)对我们的10nm以及更高级工艺来说是非常必要的……在我看来,即便10nm不一定需要,极紫外也是经济地实现7nm的必由之路。就算在10nm阶段,如果能有高产出量的极紫外,成本也会大大降低。当然了,我们可以使用双重、三重乃至是四重图案曝光,但这哦能免则免。这取决于(荷兰ASML)高产量极紫外。”

目前,ASML的六台预产型NXE:3100极紫外光刻系统每小时能产出最多7块晶圆,使用的是11W光源。今年夏天,ASML、Cymer(已被前者收购)已经联合取得了重大突破,在实验室内证明如果换成30W光源,NXE:3300B系统每小时能产出18块晶圆。ASML的最终目标依然是105W光源、69块晶圆每小时,并希望能在2014年实现投产。

根据路线图,台积电将在2016-2017年试产450毫米晶圆,然后2018年开始商业性量产。具体搭配的工艺节点没有明示,按时间算应该是成熟的10nm,或者初期的7nm。

张忠谋强调说:“450毫米(晶圆)将是降低成本的又一助推。我觉得450毫米(晶圆)会在7nm工艺上引入,也可能更早。Intel的计划应该是10nm,但我的感觉更倾向于7nm。”

张忠谋还透露,台积电最近已经在台湾春安买下了一块14万平方米的地皮,距离新竹科技园大约20分钟车程,将用来建造一个特殊的研发中心,试验450毫米晶圆和7nm工艺。

台积电展望7nm:450毫米晶圆、极紫外光刻必须有

 

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