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  突破：芯片存储容量提高1000倍

  由UNIST能源与化学工程学院的李俊熙教授领导的研究小组提出了一种新的物理现象，该现象有望将指甲大小的存储芯片的存储容量提高1,000倍。 研究小组认为，这将为直接集成到硅技术中的最终致密的

  2020-08-19 21:591124400

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  2Mb！全球第三家 国内推革命性存储芯片

  在新一代存储芯片上，国内不少公司也跟进了MRAM、PRAM及PCM相变存储芯片，日前江苏时代全芯公司发布了相变存储可编程只读存储器，2Mb大小，号称是继三星、美光之后少数掌握相变存储芯片核心技术

  2019-08-27 15:041111530

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  美国半导体技术之先进已经无敌了

  说到存储芯片，目前主要是指DRAM内存、NAND闪存及少部分NOR闪存，内存速度极快但成本贵，而且断电不能保存数据，NAND、NOR闪存可以保存数据，成本也廉价，不过性能、延迟是没法跟内存相比的。

  2019-07-12 20:472349160

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  非易失性RAM容量剧增：内存/硬盘加速统一

  计算机界一直在探索NVRAM（非易失随机存取器），即在保留DRAM速度快、延时低（纳秒级）优势的情况下，做到永固数据。 目前基于NAND的SSD是向NVRAM过渡的产物之一，业内还有铁电RAM（FRAM)、磁阻

  2018-08-07 11:18101800

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