说到存储芯片，目前主要是指DRAM内存、NAND闪存及少部分NOR闪存，内存速度极快但成本贵，而且断电不能保存数据，NAND、NOR闪存可以保存数据，成本也廉价，不过性能、延迟是没法跟内存相比的。

在这些存储芯片之外，业界还在开发各种新一代芯片，比如MRAM磁阻内存、ReRAM电阻式内存、PCRAM相变内存（Intel的傲腾内存就是相变存储原理），这些芯片的特点就是同时融合了闪存及内存的优点，速度快、延迟低、可靠性高，同时断电也能保存数据，但是这三类芯片也有同样的不足，那就是容量比较小，制造困难。

想解决新一代存储芯片的生产难题，那就需要新的半导体设备，在这方面美国应用材料公司又一次走在世界前列了，日前该公司宣布推出Endura生产平台，其中包括制造PCRAM及ReRAM的Endura Impulse PVD以及用于制造MRAM的Endura Clover PVD两种物理气相沉积设备，这是该公司有史以来研发的最精密的芯片制造系统。

以Endura Clover PVD为例，应用材料公司表示它由9个晶圆处理反应室组成，全都是在真空、纯净状态下整合的，这也是业界第一个大规模量产用的300mm MRAM系统，其中每个反应室可以沉积5种不同的材料，而制造MRAM芯片至少需要30种不同的材料沉积操作，部分材料沉积层比人类的头发还要细小50万倍，达到了亚原子级别的精度，制造过程极其复杂也极其精密。

制造ReRAM及PCRAM的Endura Impulse PVD设备也是如此，同样是超级复杂、精密的半导体设备。