三星电子今天宣布，已经开始批量投产全球第一款采用3D TSV立体硅穿孔封装技术打造的DDR4内存条，单条容量高达64GB。 这是主要面向服务器应用的RDIMM条子，上有多达36颗DDR4 DRAM内存颗粒，每一...【详细】（1/5）