Intel官方宣布，3nm级别的新工艺Intel 3已经在美国俄勒冈州、爱尔兰的两座晶圆厂内投入大规模量产，用于最近发布的至强6能效核版本Sierra Forest，以及即将发布的至强6性能核版本Granite Ridge。

Intel 3工艺相当于酷睿Ultra上使用的Intel 4工艺的升级加强版，但只会用在需要顶级性能的数据中心至强产品线，也就是至强6这一代，同时开放对外代工。

酷睿产品线不会用它，Intel 4之后直接跳到全新的Intel 20A，就是下半年要发布的高性能Arrow Lake，而低功耗的Lunar Lake第一次全部交给台积电代工，核心计算模块使用台积电N3B 3nm，平台控制模块使用台积电N6 6nm。

Intel之前曾公开表示，Intel 3相比于Intel 4逻辑缩微缩小了约10％(可以理解为晶体管尺寸)，每瓦性能(也就是能效)则提升了17％。

Intel 3的主要变化有：

－ EUV极紫外光刻的运用更加娴熟，在更多生产工序中使用EUV。

－ 引入更高密度的设计库，提升晶体管驱动电流，并通过减少通孔电阻，优化互连技术堆栈。

－ 产量提升更快。

未来，Intel还将推出Intel 3的多个演化版本，满足客户的多样化需求。

－ Intel 3-T：引入采用硅通孔技术，针对3D堆叠进行优化；

－ Intel 3-E：扩展更多功能，比如射频、电压调整等；

－ Intel 3-PT：增加硅通孔技术的同时，实现至少5%的性能提升。