今天ASML公司的季度电话会议上传来一些有趣的信息，这些信息包括通不同的芯片生产商采用的沉浸光刻技术制程更迭周期。

ASML首席分析师Eric Meurice指出，沉浸光刻技术设备的初步批量产订单，来自于NAND快闪记忆体制造商，因为他们在推动技术进步上，比任何人都努力，以在这个快速增长的市场当中维持成本竞争力，另外，NAND产品部署新的沉浸光刻技术，比任何其他产品都要简单。

Eric Meurice表示，推动沉浸光刻技术设备需求的第二次浪潮，来自更积极的内存厂商，他们正在推进5xnm制程，但是他们采用沉浸光刻技术设备的时间要落后于NAND厂商大约1年。DRAM内存厂商将在2008年采用沉浸光刻技术设备的更新版本。

最令人感兴趣的方面是，第三波沉浸光刻技术设备更新版的需求来自于逻辑芯片制造商，他们落后于内存厂商大约12至18个月，45nm制程产品将在2009年启动。

考虑到英特尔公司正在利用双干193nm ArF工艺来生产45nm处理器，因此AMD有可能在2009年开始采用沉浸光刻技术设备来生产45nm处理器。