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国产闪存刚进入232层 三星加码推进新一代:直奔430层
2023-01-06 15:40:03  出处:快科技 作者:宪瑞 编辑:宪瑞     评论(0)点击可以复制本篇文章的标题和链接

在闪存领域,中国公司追赶国际先进水平的速度很快,长江存储去年推出的新一代代晶栈3.0闪存实际上已经做到了232层,不比美光、三星的3D闪存差,只是低调运行,没有公开宣传。

三星当然也不会等着被追上,2021年量产的第七代3D闪存做到了176蹭,去年11月份推出了第八代3D闪存没有明确层数,但是业界估计是238层,而且密度是1Tb的,也是当前存储密度最高的TLC闪存。

再往后三星还准备了更高层数的闪存,预计2024年推出第九代3D闪存,堆叠层数提升到280层。

再往后的第十代3D闪存则会跳过300层,直接进入了430层,目标非常激进,预计会在2025-2026年量产,保持两年一次大升级的节奏。

目前三星还在研发这两种闪存,因此280层、430层还是预估的,具体数据要等量产时候才能确定。

不仅是堆叠层数,三星表示3D闪存的堆叠效率以及存储密度才是更重要的指标,也是三星接下来要解决的技术挑战。

国产闪存刚进入232层 三星加码推进新一代:直奔430层

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