去年底台积电宣布3nm量产，预计今年年中之后在终端层面开始大规模应用。

随后有业内专家透露，台积电3nm的良率可达80%，非常可观。

然而，提前半年投产3nm的三星，则有些尴尬，据说良率仅20%。这个表现，难怪没有大厂敢下单。

虽说三星上马了GAA晶体管，技术难度高算是情有可原，然而和台积电差距这么大显然不是长久之计。

据DT报道，三星正在调整的一个优化方案是，在3nm EUV光刻中引进穿透率达90%的掩模保护膜，供应商是本土公司S&S Tech。

EUV光刻与此案的ArF（氟化氩）曝光设备不同，光反射到镜子后，再到晶片，因此光源损失很大。要想使光源损失降到最低，必须使用穿透率超过90%的EUV用保护膜，从而保护光罩。

三星这一调整，能否有效提高3nm GAA芯片的良率，还有待检验。