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在3nm节点,三星抢先台积电半年就量产了,而且首发了GAA晶体管技术,然而除了一家做矿机芯片的中国公司试水之外,大型半导体厂商中还在观望,没谁确定要用三星的3nm。
按照三星的说法,目前量产的是3nm GAE工艺,够降低45%的功耗,减少16%的面积,并同时提升23%的性能。
第二代的3nm GAP工艺可以降低50%的功耗,提升30%的性能,同时面积减少35%,效果更好,不过要到2024年才能量产,还有2年时间。
这样的指标很诱人,如果三星能量产,不会没有厂商使用,毕竟台积电3nm不仅量产时间晚,而且价格还高,优先供应苹果也导致其他厂商在初期排不上号。
但实际情况并不是这样,三星的3nm并没有公司抢着上,只能说明是有些问题的,那就是良率偏低,根本没法大规模量产,有消息称3nm良率只有20%,这意味着要浪费80%的晶圆。
三星3nm工艺的代工价格不确定多少,台积电这边传闻是2万美元,约合14万人民币,三星就算是打折代工估计也要10万元,20%的良率用于生产的话,芯片成本要增加数倍以上,毫无竞争力。
正因为此,三星最近才跟美国Silicon Frontline公司达成了合作协议,双方的合作有段时间了,成果会体现在3nm工艺上。
Silicon Frontline的技术可以减少晶圆加工中的缺陷,也就是说提高芯片的良率,两家公司对彼此的技术合作很满意,但具体提升多少良率还没有相应数据公布。
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