在EUV光刻工艺上，Intel此前承认他们过去翻错了，让台积电、三星抢先了，毕竟Intel是最早研发EUV工艺的半导体公司之一，现在Intel可以追上来了，今年底就首次使用EUV的Intel 4工艺就会规模量产。

Intel 4就是之前的Intel 7nm工艺，也是Intel首次使用EUV光刻机，高性能库的晶体管密度可达1.6亿晶体管/mm2，是目前Intel 7的2倍，高于台积电的5nm工艺的1.3亿晶体管/mm2，接近台积电3nm的2.08亿晶体管/mm2。

Intel官方对Intel 4工艺的进度一直很乐观，之前多次说过今年底投产，不过到底是什么级别的生产？了解半导体玩家知道，风险试产、小规模生产及大规模量产是完全不同的。

最新消息显示，Intel 4工艺现在已经到了大规模量产（high volume）阶段，意味着Intel在商业生产上没问题了。

首发Intel 4的是14代酷睿Meteor Lake处理器，Q4季度会有正式流片，产品则会在明年上市。

根据之前的消息，14代酷睿不仅会升级Intel 4工艺及新的架构，还会首次使用多芯片整合封装，CPU、核显、输入输出等各自独立，制造工艺也不尽相同。

Meteor Lake的CPU Tile模块是Intel 4工艺生产的，IOE Tile以及SoC Tile模块则是台积电6nm工艺生产的，Graphics Tile显卡模块则是台积电5nm工艺生产，还有个Base Tile则是Intel自家的22nm工艺生产。

在14代酷睿上，Intel做到了5个芯片合一，融合了4种不同的逻辑工艺。