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三星、Intel小心了 台积电明天将公布2nm工艺细节:功耗降低30%
在9月份量产3nm工艺之后,台积电下一代的工艺也已经在路上了,2nm工艺未来两年中将接替3nm工艺,这一代工艺也会放弃FinFET晶体管,跟三星、Intel一样走向GAA环绕栅极晶体管技术。
台积电在6月份正式公布了2nm工艺,并透露了一些技术细节,相比3nm工艺,在相同功耗下,2nm速度快10~15%;相同速度下,功耗降低25~30%。
不过在晶体管密度上,2nm工艺的提升就不那么让人满意了,相比3nm只提升了10%,远低于以往至少70%的晶体管密度提升——按照摩尔定律来算,密度应该提升100%才算新一代工艺。
此外,台积电2nm工艺的量产时间也要等到2025年下半年,这意味着终端产品出货要等到2026年了,升级周期也要比当前的节点慢不少。
2nm工艺到底为什么密度提升有限?又有哪些首发客户?这些关键问题还要台积电解答,正好8月30日该公司还有技术论坛会议召开,2nm工艺势必会是明天的焦点,台积电届时应该会公布更多的细节信息。
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