逆向超车 美国复活90nm工艺:性能50倍于7nm芯片
2022-07-14 00:01:40  出处:快科技 作者:宪瑞 编辑:宪瑞     评论(0)点击可以复制本篇文章的标题和链接

在先进芯片工艺上,美国厂商也落后于台积电、三星了,这两家量产或者即将量产的7nm、5nm及3nm遥遥领先,然而美国还有更多的计划,并不一定要在先进工艺上超越它们,甚至准备逆行,复活90nm工艺,制造出来的芯片性能是7nm芯片的50倍。

美国晶圆厂SkyWater日前宣布获得美国国防部下属的DARPA的进一步资助,后者将给予2700万美元以推动开发90nm战略抗辐射 (RH90) FDSOI 技术平台,总的投资计划高达1.7亿美元。

相比台积电、三星、Intel等半导体公司,SkyWater不仅规模小,而且资历也浅,2017年成立,晶圆厂主要来源于赛普拉斯半导体公司的芯片制造部门,工艺并不先进,主要生产130nm及90nm,部分先进芯片才到65nm级别。

然而他们却得到了美国DARPA的青睐,成立没多久就开始参与后者的ERI电子复兴计划,该计划在5年内投资15亿美元,推动美国半导体行业发展。

ERI计划中,SkyWater并没有追求技术更强但更昂贵的先进工艺,而是用90nm工艺制造3D SoC芯片,通过集成电阻RAM、碳纳米管等材料实现更强的性能,性能可达7nm芯片的50倍。

当然,这些技术现在还没有实现完全突破,毕竟这样的做法是之前没有的,一旦成功了,可能是改变半导体行业规则的新技术。

逆向超车 美国复活90nm工艺:性能50倍于7nm芯片

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