弯道超车台积电 三星30日量产3nm工艺:良率超预期
2022-06-28 17:15:41  出处:快科技 作者:宪瑞 编辑:宪瑞     评论(0)点击可以复制本篇文章的标题和链接

6月28日,据韩国日报消息,三星将在6月30日宣布量产3nm工艺,此举也意味着三星在新一代工艺节点上弯道超车台积电,后者预计今年下半年才会量产3nm工艺。

3nm工艺的具体详情还没公布,但是之前导致三星被质疑的良率问题应该已经解决,韩国分析师、HMC投资证券公司研究中心主管Greg Roh日前透露称,三星的3nm工艺良率提升速度远高于市场预期、新增客户速度相当快。

根据他的数据,三星晶圆代工业务将成长40%左右、高于业界整体25%的增幅水平。

弯道超车台积电 三星30日量产3nm工艺:良率超预期

按照三星去年公布的信息,3nm节点也分为3GAE及3GAP,前者主要是三星自己用,后者首次使用GAA晶体管,面向外部代工客户。

根据三星的说法,与7nm制造工艺相比,3nm GAA技术的逻辑面积效率提高了45%以上,功耗降低了50%,性能提高了约35%,纸面参数上来说却是要优于台积电3nm FinFET工艺。

弯道超车台积电 三星30日量产3nm工艺:良率超预期

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