功耗降低50% 性能提升35% 三星3nm工艺下周量产
2022-06-22 14:45:20  出处:快科技 作者:宪瑞 编辑:宪瑞     评论(0)点击可以复制本篇文章的标题和链接

尽管台积电过去几年在7nm5nm4nm等先进工艺上占尽优势,但是三星一直在努力追赶,3nm节点将成为三星的一次关键,韩国媒体称三星将在下周宣布3nm工艺量产,进度将领先台积电。

据韩联社消息,接近三星的消息人士称,三星计划在6月最后一周宣布量产3nm工艺的消息,届时三星将会成为全球第一个量产3nm工艺的半导体厂商,台积电的3nm计划是2022年下半年量产。

5月底,美国总统参观了三星位于平泽市附近的芯片工厂,这里是目前全球唯一一个可以量产3nm工艺的晶圆厂,三星首次公开了3nm工艺制造的12英寸晶圆,不过具体是哪款芯片还不得而知。

根据三星的说法,与7nm制造工艺相比,3nm GAA技术的逻辑面积效率提高了45%以上,功耗降低了50%,性能提高了约35%纸面参数上来说却是要优于台积电3nm FinFET工艺。

功耗降低50% 性能提升35% 三星3nm工艺下周量产

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