ASML中国:现有技术搞定1nm芯片绰绰有余
5月16日是联合国教科文组织定义的“国际光日”,ASML中国官方在一篇微信推送中写道“创新,让摩尔定律重焕光彩”。
ASML中国强调,过去15年,摩尔定律依然生效且状况良好,未来十年甚至更长时间内将继续保持势头。
ASML自信满满地指出“在元件方面,目前的技术创新足够将芯片的制程推进至至少1纳米节点,包括gate-all-around FETs(环绕栅极晶体管),nanosheet FETs,forksheet FETs以及complementary FETs”。
此外,光刻系统分辨率的改进(预计每6年左右缩小2倍)和边缘放置误差(EPE)对精度的衡量也将进一步推动芯片尺寸缩小的实现。
据了解,纳米之后将进入埃米时代,台积电、Intel等都制定了雄心勃勃的埃米工艺早期路线图。也许,技术创新之所以弥足珍贵,内核要义就在于不会被困难打倒。
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