美光业界首发232层3D NAND闪存!计划明年投产
2022-05-13 10:48:20  出处:快科技 作者:乃河 编辑:乃河     评论(0)点击可以复制本篇文章的标题和链接

近日,美光公司发布了业界首个具有232层的3D NAND闪存,并宣布该技术将会投入包括SSD在内的多种产品。

美光业界首发232层3D NAND闪存!计划明年投产

据悉,这种232层的3D NAND闪存采用3D TLC架构,原始容量为1Tb(128GB);芯片基于美光的CuA架构,并使用NAND的字符串堆叠技术。

CuA架构的设计,配合232层的高堆叠,有效减少了1Tb 3D TLC NAND闪存的芯片尺寸,有望降低产品的生产成本,提升竞争力。

美光目前并未宣布232层3D TLC NAND IC的I/O速度或平面数量,但从透露的信息来看,新的内存应该会提供更高的性能,这对采用PCIe 5.0接口的下一代SSD来说,无疑是一个好消息。

在具体的产品层面上,美光的技术和产品执行副总裁Scott DeBoer称,公司目前已经与第三方NAND控制器开发者达成合作,从而实现对新型内存的支持。

此外,美光表示,预计将在2022年底开始生产232层3D TLC NAND闪存,按此计划,采用这种新技术的SSD应该会在明年与用户见面。

美光业界首发232层3D NAND闪存!计划明年投产

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