旗舰机要换代了!UFS 4.0闪存正式发布:读取可达4200MB/s、速度翻番
2022-05-04 08:03:44  出处:快科技 作者:万南 编辑:万南     评论(0)点击可以复制本篇文章的标题和链接

处理器之外,你的手机可能要迎来一个足够的升级理由,UFS 4.0闪存它来了。

5月4日早间消息,三星半导体宣布已经成功开发出业内性能最佳的UFS 4.0(Universal Flash Storage)存储芯片,并且已经通过JEDEC固态存储协会的认证批准。

性能方面,UFS 4.0的每通道带宽速度增至23.2Gbps,是UFS 3.1的两倍。基于三星的第七代V-NAND闪存和自研主控,实测连续读速可达4200MB/s、连续写速可达2800MB/s。

可做对比的是,目前业内性能最好的三星512GB UFS 3.1闪存芯片(2020年3月发布),标称连续读速最高2100MB/s,写速1200MB/s。这样换算的话,写入提升了1.3倍。

在提速的同时,单位功耗居然还低了。按照三星的说法,每1mA电流可承载6MB/s的读速,比前一代提高46%,这意味着用户可以获得更长的电池续航时间。

另外,UFS 4.0闪存芯片的封装尺寸只有11x13x1mm,最大容量1TB。

据悉,三星UFS 4.0闪存将于今年三季度投入量产,换言之,最快下半年应该就能见到相关手机问世,比如三星自家的Galaxy Z Fold 4、Z Flip 4以及明年的S23系列等。

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