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三星3nm工厂即将动工:全球首发GAA工艺 功耗直降50%
2022-03-09 15:56:01  出处:快科技 作者:宪瑞 编辑:宪瑞     评论(0)点击可以复制本篇文章的标题和链接

三星的晶圆代工部门最近负面不断,此前有消息称部分员工涉嫌伪造和虚报5nm4nm3nm工艺制程的良品率,以致于高通这样的VIP客户都要出走,重新使用台积电生产骁龙8处理器。

不过从技术上来说,三星现在依然是唯一能紧追台积电的晶圆代工厂,虽然在7nm5nm4nm节点上落后了一些,但在接下来的3nm节点三星更激进,要全球首发GAA晶体管工艺,放弃FinFET晶体管技术,而台积电的3nm工艺依然会基于FinFET工艺。

三星之前表示,GAA是一种新型的环绕栅极晶体管,通过使用纳米片设备制造出了MBCFETMulti-Bridge-Channel FET,多桥-通道场效应管),该技术可以显著增强晶体管性能,主要取代FinFET晶体管技术。

根据三星的说法,与7nm制造工艺相比,3nm GAA技术的逻辑面积效率提高了45%以上,功耗降低了50%,性能提高了约35%,纸面参数上来说却是要优于台积电3nm FinFET工艺。

三星3nm工厂即将动工:全球首发GAA工艺 功耗直降50%

当然,这些还是纸面上的,三星的3nm工艺挑战也不少,光是量产就是个问题,之前三星宣传2021年就量产,实际上并没有,最快也是今年,而且首发的是3GAE低功耗工艺,高性能的3GAP工艺至少要2023年了。

据韩国媒体报道,三星已经准备在韩国平泽市的P3工厂开工建设3nm晶圆厂了,67月份动工,并及时导入设备。

按照这个进度,今年的3GAE工艺应该也只会是小规模试产,大规模量产也要到明年了,跟台积电的3nm工艺差不多,两家都因为种种问题延期量产3nm工艺了。

三星3nm工厂即将动工:全球首发GAA工艺 功耗直降50%

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