正文内容 评论(0

最快今年底量产 三星将推出224层闪存:速度提升30%
2022-02-08 20:02:26  出处:快科技 作者:宪瑞 编辑:宪瑞     评论(0)点击可以复制本篇文章的标题和链接

3D闪存方面,三星之前一直是领先的,不过美光去年率先量产了176层堆栈的闪存,要想追赶回来,三星最快今年底能量产224层堆栈的闪存,性能还会提升30%

三星的3D闪存V-NAND目前发展到了第七代,最高176层,原本计划在去年底量产,但因为NAND闪存价格下滑等因素,三星选择推迟量产,今年Q1季度才会正式量产,导致技术上稍微落后于美光等公司。

不过三星在下一代闪存上有望追回来,最快今年底明年初推出第八代V-NAND闪存,堆栈层数首次超过200层,之前传闻是228层,现在的说法是224层,相当于在128层基础上再堆栈96层。

消息称,三星的224层闪存性能也很不错,数据速度提升了30%同时生产效率也提高了30%

此外,三星的224层闪存技术难度也很高,之前三星是唯一一家使用单堆栈技术实现128层闪存的公司,这次的224层则使用了双堆栈技术,技术挑战十分严峻。

最快今年底量产 三星将推出224层闪存:速度提升30%

【本文结束】如需转载请务必注明出处:快科技

责任编辑:宪瑞

  • 支持打赏
  • 支持0

  • 反对

  • 打赏

文章价值打分

当前文章打分0 分,共有0人打分
  • 分享好友:
  • |

  • 热门文章
  • 换一波

  • 好物推荐
  • 换一波

  • 关注我们

  • 微博

    微博:快科技官方

    快科技官方微博
  • 今日头条

    今日头条:快科技

    带来硬件软件、手机数码最快资讯!
  • 抖音

    抖音:kkjcn

    科技快讯、手机开箱、产品体验、应用推荐...