ASML介绍新一代高NA EUV光刻机:芯片缩小1.7倍、密度增加2.9倍
2021-12-13 18:33:14  出处:快科技 作者:万南 编辑:万南     评论(0)点击可以复制本篇文章的标题和链接

按照业内预判,2025年前后半导体在微缩层面将进入埃米尺度(Å,angstrom,1埃 = 0.1纳米),其中2025对应A14(14Å=1.4纳米)。

除了新晶体管结构、2D材料,还有很关键的一环就是High NA(高数值孔径)EUV光刻机。根据ASML(阿斯麦)透露的最新信息,第一台原型试做机2023年开放,预计由imec(比利时微电子研究中心)装机,2025年后量产,第一台预计交付Intel。

Gartner分析师Alan Priestley称,0.55NA下一代EUV光刻机单价将翻番到3亿美元。

那么这么贵的机器,到底能实现什么呢?

ASML发言人向媒体介绍,更高的光刻分辨率将允许芯片缩小1.7倍、同时密度增加2.9倍。未来比3nm更先进的工艺,将极度依赖高NA EUV光刻机。

当然,ASML并不能独立做出高NA EUV光刻机,还需要德国蔡司以及日本光刻胶涂布等重要厂商的支持。

ASML现售的0.33NA EUV光刻机拥有超10万零件,需要40个海运集装箱或者4架喷气货机才能一次性运输完成,单价1.4亿美元左右。

去年ASML仅仅卖了31台EUV光刻机,今年数量提升到超100台。

ASML介绍新一代高NA EUV光刻机:芯片缩小1.7倍、密度增加2.9倍

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话题标签:阿斯麦光刻机极紫外光刻

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