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高通、AMD计划引入3nm工艺:台积电“开足马力”加快量产速度
2021-12-06 11:49:54  出处:快科技 作者:乃河 编辑:乃河     评论(0)点击可以复制本篇文章的标题和链接

近日,有媒体报道,台积电将“开足马力”,冲刺3nm制程芯片的量产速度,并已经进入了试产阶段,这或许是因为高通,AMD等重量级客户都计划引入3nm工艺。

据悉,高通与AMD等厂商都在考虑引入3nm制程工艺,并已经开始寻找能够量产3nm芯片的生产厂商,因此,同样在攻克3nm技术的三星就成为了台积电必须追赶的目标。

此前,有消息称三星计划于2022年上半年实现3nm芯片的量产,如果该消息属实,那么三星将抢先台积电实现3nm芯片的量产,从而抢占大量客户。

台积电原本规划在今年年内试产3nm芯片,并在明年下半年正式投入量产,但在三星的紧追下,这一时间很可能会被提前至明年上半年。

需要注意的是,虽然同为3nm,但与台积电沿用了当前的FinFET架构不同,三星将采用全新的GAA架构,架构的不同或许也会导致二者3nm芯片投入量产的时间出现差异。

高通、AMD计划引入3nm工艺:台积电“开足马力”加快量产速度

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