Intel透露“4nm EUV”工艺进展:每瓦性能提升20% 进展良好
2021-11-12 19:37:38  出处:快科技 作者:宪瑞 编辑:宪瑞     评论(0)点击可以复制本篇文章的标题和链接

10月底发布的12代酷睿不仅升级了大小核架构,工艺也升级到了Intel 7(之前的10nm SF工艺增强版),从这一代开始Intel的工艺也会爆发,4年时间要掌握5代工艺,其中下一个工艺是Intel 4,官方现在透露它的进展很顺利,芯片测试已经完美通过。

Intel 4工艺就是没改名之前的Intel 7nm工艺,它可是Intel接下来非常重要的工艺节点,会首次引入EUV光刻机,能效比再提升大约20%,明年下半年投产,2023年产品上市。

现在Intel首次透露了这个“4nm EUV”工艺的进展,官方放出了48秒的视频,显示该工艺生产的晶圆测试过程,最后的结果就是通过了所有测试,内部的SRAM、逻辑单元、模拟单元都符合规范,芯片很“健康””。

Intel透露“4nm EUV”工艺进展:每瓦性能提升20% 进展良好

Intel没有公布这个晶圆的具体情况,不过结合之前的信息来看,这个测试的晶圆应该是14代酷睿Meteor Lake,已经在今年第二季度完成计算单元的流片,现在测试非常合理。

Intel透露“4nm EUV”工艺进展:每瓦性能提升20% 进展良好

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#Intel#CPU处理器

责任编辑:宪瑞

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