年底下一代旗舰手机芯片要开始陆续发布了，高通这边有骁龙898，联发科近期大热的天玑下一代旗舰规格也很顶。

根据数码大V@肥威和@数码闲聊站的爆料，下一代安卓旗舰芯片的样品测试跑分超过了100万，极有可能指的就是骁龙898或者联发科那颗4纳米的天玑旗舰，也就意味着下一代旗舰芯片的性能至少有20%的提升。

回顾2021年，安卓阵营旗舰芯片因为发热而翻车的例子不少，所以对于下一代旗舰芯片，用户关心的不仅仅是性能，还有发热和续航表现。

@肥威也有相似的观点，表示100万跑分不稀奇，重点是看功耗。

对于骁龙898及天玑下一代旗舰来说，前者会使用三星的4纳米工艺，后者则是台积电的4纳米工艺。

虽然都是4纳米，但从过往的情况来看，台积电的4纳米显然更稳，因此行业普遍认为联发科的这颗4纳米天玑芯片的“底子”更好。

此前业内有消息称，联发科下一代天玑旗舰会采用Arm最新的Armv9架构，如果真是这样，那么Armv9和台积电4纳米对“能耗比（性能/功耗）”来说绝对是利好因素。

在明年旗舰普遍都达到100万分的水准之下，功耗将彻底走到台前，联发科下一代天玑旗舰的先天条件稳赢骁龙898，明年的旗舰谁主沉浮？还需要往后边看边聊。